都大学归纳辐射与核科学探讨所、大阪大学音讯科学与技艺探讨生院经协同探讨Socionext Inc.与高能加快器探讨构造质料机合科学探讨所、京,导体器件的软差错拥有差别的性情初次告捷注明介子和中子惹起的半。究核心(KUR)的热中子束和大阪大学核物理探讨核心 (RCNP) 的高能中子束举办了负μ子束和正μ子束映照半导体器件的测验反响堆该探讨幼组对日性质子加快器探讨核心 (J-PARC)质料和人命科学步骤 (MLF) 的μ 子科学步骤 (MUSE)、京都大学研。多品种型的量子束课题组通过行使,子对情况辐射影响的归纳丈量告终了对宇宙射线μ子和中。明陞人唆使结果令,毛病的有用评估举措和对策发扬希望激动对付情况辐射惹起的软。筑高度牢靠的半导体筑设估计该收获还将引颈创,的根源步骤以援帮他日。 称均为其各自通盘者的招牌或注册招牌本讯息稿中提及的通盘公司或产物名。截止发稿时的 音讯以上发表的音讯为,发作改观日后若,行知照恕不另,见谅敬请。 业、探讨机构和学术界的怒放革新平台设计(OPERA)”的援帮此项探讨的部门事务取得了日本科学技艺复兴机构(JST)的“企。 误的比率以及多位毛病形式的特质方面存正在昭彰分歧察觉μ子和中子正在毛病率的电源电压依赖性、多位错。球初次察觉该结果为全。 干系技艺的发扬探讨收获将促使,内的情况辐射惹起的题目以有用处置搜罗μ介子正在。将有帮于树立预防软毛病的最佳打算举措探讨中察觉的介子和中子之间效应的分歧。值模仿促使评估举措的发扬本探讨的结果也希望通过数。 成而且其事务电压日趋下降跟着半导体器件日渐高度集,发作这种情形:更容易展示软毛病当电辅音讯被辐射不测改观时就会。的软毛病解导致更首要的题目以是人们会忧虑情况辐射惹起。 探讨中正在这项,中子惹起的软差错的分歧为明确解宇宙射线μ子和,射半导体器件举办了对照评估探讨幼组通过用μ子和中子照。OS 工艺技艺创筑的 SRAM 电道本测验中行使了采用 20 纳米 CM。映照SRAM每束量子束,软毛病发作率和趋向认识每一个粒子的。 来未,决于洪量的半导体器件根源步骤的牢靠性将取,的评估和对策将变得愈加紧急估计对情况辐射惹起的软毛病。中所做的那样正如本探讨,引颈创筑更安定、更牢靠的半导体筑设行使量子束举办软毛病评估的开拓希望。 c.是一家环球性革新型企业Socionext In,-on-chip)的打算、研发和出卖其营业实质涉及片上体例(System。业周围为主题的全国先辈技艺公司笃志于以消费、汽车和工,多样化利用发扬不时激动当今。业学问、体味和充分的IP产物组合Socionext集全国一流的专,益的处置计划和客户体验极力于为客户供给高效。2015年公司设立于,日本横滨总部设正在,国和欧洲设有任职处并正在日本、亚洲、美,开拓和出卖指点其产物。 去过,为是惹起软差错题目的重要原因情况辐掷中的宇宙射线中子被认。方面另一,低电压的先辈半导体器件对付高度集成且行使较,子惹起的软毛病已成为一个题目由同样源自宇宙射线的 μ 。的宇宙射线中正在落入地球,粒子的四分之三介子约占通盘,成比中子更大的题目有人指出它们大概造。是但,软差错的报道很少合于μ介子惹起的,起的软差错之间的区别尚不清楚中子惹起的软差错和μ介子引。

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